至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量19nm2dnand闪存芯片-三牛注册

至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量19nm2dnand闪存芯片-三牛注册

来源:it之家2022-12-13 12:40

感谢本站网友kinja的线索传递!

至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量19nm2dnand闪存芯片

,智讯创新今日宣布,其自主研发的国内首款中小尺寸19nm 2d nand闪存芯片研发成功,预计明年初全面投放市场。

据智讯创新介绍,这是国内首款19nm 2d nand闪存芯片,完全自主研发,采用先进技术该产品将覆盖512mb,1gb和2gb容量,提供1.8v和3.3v电压,采用串行接口spi和wson封装

据其介绍,既能满足消费类产品的可靠性要求,也能满足工作规定,车辆规定等高可靠性应用场景下的擦除次数和数据保留要求创新数据显示,该产品芯片面积减少40%,i/o速度提升25%,擦除周期提升70%

本站了解到,官方信息显示,智讯创新成立于2021年10月,总部位于江苏无锡,在上海,深圳,香港等地设有分公司目前,智讯创新正在进行a轮融资

关键词:

责任编辑:许一诺

三牛注册的版权与免责声明:

1 本网注明“来源:×××”(非中国商业周刊网)的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,本网不承担此类稿件侵权行为的连带责任。

2 在本网的新闻页面或bbs上进行跟帖或发表言论者,文责自负。

3 相关信息并未经过本网站证实,不对您构成任何投资建议,据此操作,风险自担。

4 如涉及作品内容、三牛注册的版权等其它问题,请在30日内同本网联系。